特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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台积电3纳米产能告急：苹果、高通、英伟达、AMD四大巨头抢占芯片制造新高地

上海 – 2024年6月14日 – 随着全球对高性能芯片需求的不断增长，台积电3纳米制程产能成为市场焦点。据悉，苹果、高通、英伟达和AMD四大科技巨头已纷纷预订了台积电的大量3纳米制程产能，客户排队现象预计将持续至2026年。

这一消息标志着芯片制造领域的重大变革。台积电3纳米制程是目前最先进的芯片制造工艺之一，能够显著提升芯片性能和降低功耗。对于苹果、高通、英伟达和AMD等科技巨头而言，抢占3纳米产能意味着能够率先推出更具竞争力的产品，在市场上占据领先地位。

苹果是台积电3纳米产能的最大客户之一。据报道，苹果今年的iPhone 16新机将首次搭载A18系列处理器，同时最新的笔记本自研芯片M4也将同步投入使用。这两款核心芯片均计划于第二季度在台积电进行3纳米生产。

高通则是另一家重要的客户。高通骁龙处理器一直是智能手机市场的主流芯片，而3纳米制程的骁龙处理器将能够带来更强大的性能和更长的续航能力。

英伟达和AMD则主要将3纳米制程用于生产高性能计算（HPC）芯片。随着人工智能和云计算等领域的快速发展，对HPC芯片的需求也日益旺盛。

台积电3纳米产能的紧张局面也反映出全球芯片制造业集中度不断提高的趋势。台积电是全球最大的芯片代工企业，拥有最先进的芯片制造工艺。随着3纳米制程的量产，台积电在芯片制造领域的地位将更加巩固。

业界专家预测，随着全球对高性能芯片需求的不断增长，台积电3纳米制程的总产能将持续上升。据估计，月产能有望在未来提升到12万片至18万片，以满足市场对高性能芯片的迫切需求。

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